M58WR064KT7AZB6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存。该器件采用4M x 16位的存储结构，支持16位宽数据总线，提供高达66MHz的时钟频率和70ns的快速访问时间，能够满足嵌入式系统对高速代码读取和就地执行（XIP）的严格要求。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，有助于降低整体系统功耗，同时其工业级温度范围（-40°C至85°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。芯片采用56-VFBGA紧凑型封装，适用于空间受限且对可靠性有高标准的工业控制、汽车电子及网络通信等应用领域。
- 型号:M58WR064KT7AZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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