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MICRON
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR的图片

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR是美光科技推出的一款32Gb容量、1866MHz时钟频率的移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用易失性DRAM技术,以512M x 64的架构组织数据,为核心处理器提供高速、大容量的数据缓存支持。

其关键特性包括1.1V的低工作电压,有助于显著降低系统整体功耗,以及-30°C至85°C的宽温工作范围,确保了在各类环境条件下的稳定运行。该器件采用FBGA封装和卷带包装,专为对性能、功耗和可靠性有严苛要求的移动及嵌入式应用而设计。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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