MT45W2MW16BABB-706 WT TR是美光科技生产的一款32Mb（2M x 16）并行接口PSRAM（伪静态随机存储器）。该器件采用1.8V核心电压供电（范围1.7V~1.95V），提供70ns的访问与写周期时间，其核心价值在于以DRAM的密度和成本，实现了类似SRAM的简易使用体验。
它通过内部集成自刷新逻辑，对外隐藏了刷新操作，无需主控制器管理刷新时序，极大简化了系统内存设计。器件采用54-VFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为-30°C至85°C（TC），适用于对内存容量、功耗和设计简便性有较高要求的各类嵌入式应用。
- 型号:MT45W2MW16BABB-706 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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