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MICRON
MT40A512M8SA-062E AUT:F的图片

MT40A512M8SA-062E AUT:F

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(7.5x11)
优势价格,MT40A512M8SA-062E AUT:F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8SA-062E AUT:F的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8SA-062E AUT:F是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用512M x 8的位宽配置。该器件基于DDR4技术,运行时钟频率可达1.6GHz,实现高达3200 MT/s的数据传输速率,为系统提供卓越的内存带宽,以满足高性能计算应用的严苛需求。

其核心参数表现出色,访问时间仅为19ns,确保了快速的数据响应能力。该芯片在1.2V标准电压下工作,并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,这使其具备了工业级和车规级的可靠性,适用于环境条件复杂的嵌入式及自动化系统。产品采用78-TFBGA表面贴装封装,形式紧凑,便于高密度电路板集成。

  • 型号:MT40A512M8SA-062E AUT:F
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 想获取MT40A512M8SA-062E AUT:F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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