MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C TR是美光科技推出的一款32Gb容量并行接口NAND闪存存储器。该芯片采用100-VBGA封装，以卷带形式供货，核心架构为4G x 8位的组织方式，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好。
其核心卖点在于大容量存储与高速并行数据传输能力。芯片支持高达83MHz的时钟频率，通过并联接口实现快速读写操作。作为非易失性存储器，它适用于需要可靠存储固件、配置数据或用户文件的商业级应用，工作温度范围为0°C至70°C。
- 型号:MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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