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MICRON
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E的图片

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
原厂封装:产品封装:376-WFBGA
优势价格,MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E 是美光科技的一款32Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用512M x 64位组织架构,运行时钟频率高达2133MHz,可提供卓越的数据传输带宽,满足高性能移动计算需求。

其核心优势在于出色的能效表现,工作电压仅为1.1V,并集成了先进的低功耗管理功能。器件采用376-ball WFBGA紧凑型封装,工作温度范围宽达-30°C至85°C,确保了在空间受限和严苛环境应用中的高可靠性与稳定性,是下一代智能移动和嵌入式设备的理想内存选择。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:376-WFBGA
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