MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR是美光科技生产的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用63-VFBGA小型化封装，以卷带形式提供，适用于表面贴装工艺，其核心架构提供128M x 8位的存储组织方式。
其主要技术卖点包括宽幅工作电压支持（1.7V~1.95V）以及宽广的工业级工作温度范围（-40°C ~ 85°C），这确保了其在严苛环境下的稳定数据存储能力。作为一款并联接口的闪存，它适用于需要直接、灵活数据总线连接的嵌入式存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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