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MICRON
MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR的图片

MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
原厂封装:封装:90-VFBGA(9x13)
优势价格,MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR 是美光科技生产的一款2Gb容量移动低功耗DDR SDRAM芯片。该器件采用64M x 32位的存储结构,通过并联接口提供32位宽的数据总线,其核心优势在于实现了低电压操作(1.7V-1.95V)与较高性能(208MHz时钟,等效416MT/s速率)的结合,专为优化功耗与性能比的应用而设计。

其关键参数包括5ns的快速访问时间和14.4ns的写周期时间,确保了高效的数据吞吐能力。采用90-VFBGA小型化封装,适用于空间受限的嵌入式设计。器件支持-40°C至85°C的工业级温度范围,保障了在苛刻环境下的可靠性,主要面向便携式设备、汽车电子及工业控制等对功耗、尺寸和鲁棒性有严格要求的领域。

  • 型号:MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:90-VFBGA(9x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:64M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:208 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:14.4ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:90-VFBGA
  • 供应商器件封装:90-VFBGA(9x13)
  • 想获取MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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