MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E是美光科技推出的一款32Gb容量、基于LPDDR4标准的移动DRAM芯片。它采用512M x 64的存储结构，在1.1V低工作电压下，时钟频率可达2133MHz，为移动和嵌入式平台提供了优异的数据带宽与能效比。

该器件采用432-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的设计。其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C TC）确保了在严苛环境下的可靠性。这款芯片的核心价值在于平衡了高性能、低功耗与小尺寸，是下一代智能移动设备及高性能嵌入式系统的理想内存选择。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：432-VFBGA
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