MT49H16M18BM-25:B TR是美光科技生产的一款288Mb并行DRAM芯片，采用16M x 18的存储结构。该器件设计用于提供高速数据访问，其核心时钟频率达到400MHz，访问时间为20ns，能够在1.8V典型电压下稳定工作。
其144-TFBGA封装形式适用于高密度表面贴装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），满足工业级环境要求。该芯片的并行接口架构旨在优化数据吞吐带宽，适用于对实时性要求较高的数据处理和缓冲应用。
- 型号:MT49H16M18BM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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