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MICRON
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR的图片

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR是美光科技推出的一款8Gb容量、基于LPDDR4技术的移动SDRAM。该器件采用512M x 16的组织结构,运行时钟频率高达2.133GHz,能够提供卓越的数据传输带宽,满足现代高性能计算对内存速度的迫切需求。

作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品,它具备在-40°C至95°C的宽温度范围内稳定工作的能力,并集成了增强的数据可靠性机制,专为应对汽车、工业等严苛环境下的振动、温度波动及电磁干扰挑战而设计。其200-WFBGA的紧凑封装形式,非常适合空间受限且要求高可靠性的嵌入式系统应用。

  • 型号:MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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