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MICRON
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR的图片

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR是美光科技生产的一款16Gb容量、采用移动LPDDR4技术的SDRAM。该器件以2133MHz的时钟频率运行,提供高达4266MT/s的数据传输速率,旨在满足现代移动和嵌入式系统对高内存带宽的迫切需求。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的紧密结合。器件在1.1V低电压下工作,并集成了LPDDR4标准的多种高级节能功能,显著优化了系统能效。同时,其宽泛的工作温度范围(-30°C至105°C)确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性,使其应用范围得以从消费电子扩展至汽车和工业领域。

  • 制造商产品型号:MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(256M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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