MT40A512M8RH-083E AUT:B TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 8的并行架构。该器件以1.2GHz的时钟频率运行，实现高速数据传输，其1.14V至1.26V的工作电压范围体现了DDR4技术的低功耗优势。
芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至125°C的宽工作温度范围，确保了在严苛环境下的可靠性。其核心卖点在于为网络通信、工业控制及汽车电子等需要高带宽和强环境适应性的应用，提供了一个经过验证的高性能内存解决方案。
- 型号:MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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