M58LT128KSB7ZA6E是美光科技推出的一款128Mb容量、并行接口的NOR闪存芯片。它采用8M x 16位的组织架构，提供70ns的快速访问时间和写周期时间，并支持高达52MHz的操作频率，确保了高效的数据读取和代码执行性能。
该器件工作电压范围为1.7V至2.0V，适用于低功耗设计，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。其64-TBGA表面贴装封装提供了可靠的物理连接，主要面向需要非易失性存储、快速启动及高可靠性的嵌入式应用，如工业控制、汽车电子和通信设备。
- 型号:M58LT128KSB7ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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