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MICRON
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR的图片

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
原厂封装:产品封装:376-WFBGA
优势价格,MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR是美光科技生产的一款64Gb容量、2133MHz时钟频率的移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用376-WFBGA表面贴装封装,以卷带形式供货,专为满足现代移动和嵌入式设备对高性能、小尺寸及高能效的严苛需求而设计。

其核心卖点在于提供了高达8GB(1G x 64)的存储容量和LPDDR4接口带来的高数据传输速率,同时工作电压低至1.1V,有效降低了系统功耗。宽泛的工作温度范围(-30°C ~ 85°C)确保了其在各种环境条件下的稳定运行,使其成为要求严苛的消费电子和工业应用的可靠选择。

  • 制造商产品型号:MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb(1G x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:376-WFBGA
  • 想获取MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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