MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR是美光科技推出的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口与152-TBGA封装。其核心卖点在于64G x 8位的组织结构所提供的海量存储空间，以及高达166MHz的操作频率，这为大数据量的高速读写提供了硬件基础。
该器件工作电压为2.7V~3.6V，兼容工业标准，并支持0°C至70°C的商业级工作温度范围。作为一款基于成熟NAND技术的非易失性存储器，它适用于对存储密度和传输带宽有较高要求的应用。需要指出，该产品目前已处于停产状态，在设计与采购时需予以考虑。
- 型号:MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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