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MICRON
MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR的图片

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR是美光科技推出的一款12Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用384M x 32的组织结构,在1.866GHz的时钟频率下运行,可提供卓越的数据传输带宽,满足现代高性能移动计算对内存速度的要求。

其设计注重能效,采用0.6V和1.1V的双电压供电系统,有效优化功耗表现。器件采用200球WFBGA封装,支持表面贴装,工作温度范围为-30°C至85°C,确保了在紧凑空间和宽温环境下的高可靠性,适用于对尺寸、功耗和性能均有严苛标准的移动及嵌入式应用。

  • 型号:MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb
  • 存储器组织:384M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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