MT40A2G4WE-083E:B是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用2G x 4的存储结构。该器件基于并联接口，运行时钟频率为1.2GHz，可实现高达2400 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其核心特性包括支持命令/地址奇偶校验与数据循环冗余校验，显著增强了数据完整性和系统可靠性。芯片工作在1.2V典型电压下，并具备宽泛的工作温度范围（0°C至95°C TC），封装于78-TFBGA中，适用于表面贴装，满足紧凑型、高性能计算和网络设备的设计需求。
- 型号:MT40A2G4WE-083E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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