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MICRON
MT41K1G8TRF-125:E的图片

MT41K1G8TRF-125:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9.5x11.5)
优势价格,MT41K1G8TRF-125:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K1G8TRF-125:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K1G8TRF-125:E 是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用1G x 8位组织架构的并联接口DRAM。该器件核心优势在于其低电压操作,支持1.283V至1.45V的供电范围,在提供高性能的同时显著优化了功耗,符合现代电子系统对能效的严格要求。

其技术规格表现出色,运行时钟频率为800MHz,实现高达1600MT/s的数据传输速率,访问时间仅为13.5ns,能够满足高速数据处理的需求。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围宽达0°C至95°C(TC),确保了在苛刻环境下的稳定性和高可靠性,适用于要求严苛的嵌入式与网络应用场景。

  • 型号:MT41K1G8TRF-125:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9.5x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:1G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.5 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9.5x11.5)
  • 想获取MT41K1G8TRF-125:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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