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MICRON
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR的图片

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
原厂封装:封装:200-VFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR是美光科技生产的一款32Gb(1G x 32)容量的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存储器(Mobile LPDDR4 SDRAM)。该器件采用1866MHz的高时钟频率,在1.1V的低工作电压下运行,实现了高性能与低功耗的出色平衡。

其核心卖点在于为空间和能效敏感型应用提供了高带宽的存储解决方案。采用200-VFBGA小型化封装,支持表面贴装,工作温度范围宽达-30°C至85°C,确保了在各类移动和嵌入式环境中的可靠性。尽管产品状态已标注为停产,但其技术规格仍代表了LPDDR4时代的主流高性能水平。

  • 型号:MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-VFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:1G x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-VFBGA
  • 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
  • 想获取MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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