MT29F1G08ABAEAH4:E是美光科技推出的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用128M x 8位的组织结构，提供非易失性数据存储，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，其商业级工作温度范围（0°C至70°C）满足广泛的应用环境需求。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，具有紧凑的物理尺寸，适合空间敏感的设计。其并行接口提供了直接、高效的数据传输路径，适用于对接口时序有传统要求或需要简化控制器设计的嵌入式存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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