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MICRON
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR的图片

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA
原厂封装:封装:-
优势价格,MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR是美光科技推出的一款32Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用512M x 64的组织结构,在1.1V工作电压下,其时钟频率可达1866MHz,能够为系统提供高带宽的数据访问能力,同时兼顾了移动应用对低功耗的严格要求。

其设计基于成熟的LPDDR4技术标准,工作温度范围为-30°C至85°C,并采用FBGA封装,确保了在紧凑空间内的可靠性和信号完整性。这些核心参数使其成为应对高性能移动计算和多媒体处理任务的优选内存解决方案。

  • 型号:MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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