M29W256GH70ZA6E是美光科技生产的一款256Mbit并行NOR闪存芯片，采用64-TBGA表面贴装封装。该器件提供32M x 8位或16M x 16位的存储组织方式，支持快速的随机访问，其访问时间和写周期时间均为70ns，能够有效提升系统启动和代码执行效率。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。作为一款基于成熟NOR技术的非易失性存储器，它适用于需要可靠存储引导代码、应用程序或配置数据的各类嵌入式系统设计。
- 型号:M29W256GH70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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