MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR是美光科技生产的一款16Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该芯片采用512M x 32的组织架构，运行时钟频率为1866MHz，可提供高达3733MT/s的数据传输速率，旨在满足现代移动设备对高内存带宽的需求。
其核心优势在于实现了高性能与低功耗的紧密结合。器件在1.1V的低电压下工作，并集成了多项LPDDR4标准的节能技术，有效降低了系统整体功耗。产品采用200-WFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围为-30°C至85°C，确保了在紧凑空间和宽温环境下的可靠性与适用性，主要服务于已进入维护期的各类移动及嵌入式电子设备。
- 型号:MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:512M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.866 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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