MT45W2MW16BABB-706 L WT是美光科技生产的一款32Mb容量并行接口PSRAM芯片。该器件采用2M x 16的组织结构，核心工作电压为1.8V（范围1.7V-1.95V），提供了70ns的访问与写周期时间，实现了快速的数据吞吐。其宽工作温度范围（-30°C至85°C）确保了在严苛环境下的可靠性。
作为一款伪静态RAM，它内部集成了刷新电路，对外呈现出类似SRAM的简易接口，无需外部刷新控制，显著降低了系统设计的复杂性。54-VFBGA的表面贴装封装形式使其适用于空间受限的紧凑型电子设备。这款芯片为需要在易用性、存储密度和成本之间取得平衡的嵌入式应用提供了一个高效的存储器解决方案。
- 型号:MT45W2MW16BABB-706 L WT
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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