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MICRON
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR的图片

MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR是美光科技生产的一款12Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用384M x 32的组织架构,运行时钟频率为1600MHz,在双倍数据率下可实现高达3200MT/s的数据传输速率,为应用提供卓越的内存带宽,满足高性能移动计算对数据吞吐的苛刻要求。

该芯片在提供高带宽的同时,专注于功耗优化。其核心工作电压为1.1V,并集成了LPDDR4标准的多种低功耗特性,有效降低了系统能耗。其采用200-WFBGA小型化封装,支持表面贴装,适合空间紧凑的移动和嵌入式设备设计。宽泛的-30°C至85°C工作温度范围(TC)进一步增强了其在各种环境条件下的适用性与可靠性。

  • 型号:MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb
  • 存储器组织:384M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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