M58WR032KB7AZB6F TR是美光科技推出的一款32Mb并行NOR闪存芯片，采用2M x 16位的组织架构和56-VFBGA封装。其核心卖点在于支持高达66MHz的工作频率和70ns的快速访问时间，能够满足嵌入式系统对高速代码执行和数据读取的严苛要求。
该器件工作在1.7V至2.0V的低电压下，有助于降低整体系统功耗，并具备-40°C至85°C的宽工业级温度范围，确保在恶劣环境下稳定运行。其并联接口提供了高效的数据传输路径，适用于需要可靠非易失性存储且对性能敏感的各种应用场景。
- 型号:M58WR032KB7AZB6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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