MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR是美光科技生产的一款4Gb容量、采用移动版LPDDR4技术的SDRAM芯片。该器件采用128M x 32的存储单元组织结构，在1.1V的工作电压下，其I/O时钟频率可达1600MHz，能够提供高达3200MT/s的数据传输速率，以满足现代移动设备对内存带宽的苛刻要求。
该芯片采用200-WFBGA紧凑型封装，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），并集成了多种低功耗管理状态，确保了在宽温环境和电池供电场景下的高能效与可靠运行。这些特性使其成为追求高性能、低功耗与小型化设计的移动及嵌入式系统的关键存储组件。
- 型号:MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:128M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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