MT41K512M16TNA-107:E是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 16位的并行存储架构。该器件核心优势在于其低电压运行特性（1.283V~1.45V）与高达933MHz的时钟频率相结合，在提供1866MT/s有效数据速率的同时，显著降低了系统功耗与热耗散。
其20ns的访问时间与并联接口确保了高速数据读写能力，而96-TFBGA紧凑型封装则适用于空间受限的表面贴装应用。该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），主要设计用于需要高带宽、低功耗内存解决方案的嵌入式网络、通信及工业计算领域。
- 型号:MT41K512M16TNA-107:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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