MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR是美光科技生产的一款32Gb容量、采用Mobile LPDDR3技术的易失性存储器。该芯片以512M x 64位的组织形式构成4GB的有效存储空间，其核心优势在于高带宽与低功耗的紧密结合，运行时钟频率为933MHz，可实现等效1866MT/s的数据速率，同时工作电压低至1.2V。
该器件采用256-ball WFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。其宽泛的工作温度范围（-30°C至85°C）确保了在各类环境下的稳定运行。这些特性使其成为追求高性能、长续航的移动和嵌入式设备的理想内存解决方案。
- 型号:MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:256-FBGA（14x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 32GBIT 933MHZ 256FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:512M x 64
- 存储器接口:-
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.2V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:256-WFBGA
- 供应商器件封装:256-FBGA（14x14）
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