MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR是美光科技生产的一款大容量、高速NAND闪存芯片。该器件提供高达3Tb（384GB）的存储空间，采用并行接口和高达333MHz的时钟频率设计，旨在实现极高的数据吞吐带宽，满足对存储性能有严格要求的应用。
其核心特性包括非易失性数据存储、2.5V至3.6V的宽电压供电范围以及0°C至70°C的商业级工作温度范围。这款芯片适用于需要快速读写海量数据的场景，是企业级存储、高性能计算和专业嵌入式系统等领域的潜在存储解决方案。产品采用卷带包装，便于自动化生产。
- 型号:MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:3Tb
- 存储器组织:384G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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