EDB4064B3PB-8D-F-D是美光科技推出的一款4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM，采用216-WFBGA表面贴装封装。该器件以64M x 64的存储结构组织，通过并联接口提供高达400MHz的时钟频率，确保了高速的数据传输能力。
其核心优势在于优异的功耗与适应性设计，工作电压支持1.14V至1.95V的宽范围，便于系统进行功耗优化；同时具备-30°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。这些特性使其成为对能效、尺寸和环境适应性有严苛要求的嵌入式及便携式设备的理想存储解决方案。
- 型号:EDB4064B3PB-8D-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-WFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:64M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
- 想获取EDB4064B3PB-8D-F-D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
