M29F200FB55M3E2是美光科技生产的一款2Mb容量并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。该器件提供55ns的快速访问时间和写周期时间，支持8位或16位可配置数据总线，电压范围为4.5V至5.5V。
其关键特性包括宽工作温度范围（-40°C至125°C）和表面贴装形式，适用于要求高可靠性及直接代码执行的工业与汽车嵌入式系统。作为非易失性存储器，它适用于存储固件、引导代码及关键参数。
- 型号:M29F200FB55M3E2
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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