MT47H64M8SH-25E AAT:H TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为400MHz，可实现高达800Mbps的数据传输速率，其400ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
该芯片设计用于严苛环境，其工作电压范围为1.7V至1.9V，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，满足工业及车载应用对可靠性的高要求。器件采用60-TFBGA表面贴装封装，便于集成。尽管产品状态为停产，但其成熟的技术规格使其在需要高带宽、低延迟和宽温运行的嵌入式系统中仍具应用价值。
- 型号:MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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