M25PE10-VMN3TPB TR是美光科技生产的一款1Mb容量串行NOR闪存存储器，采用SPI接口，时钟频率最高可达75MHz，提供高速数据读取能力。其存储结构为128K x 8位，支持灵活的字节编程与页编程操作，页编程时间典型值仅为3ms，有效提升了数据写入效率。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至125°C的宽温工作范围，确保在工业及汽车等恶劣环境下稳定运行。它采用8引脚SOIC表面贴装封装，集成写保护、状态查询等完善的控制功能，具有高耐久性与长期数据保存特性，适用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统，如固件存储、配置参数保存等应用。
- 型号:M25PE10-VMN3TPB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Mb
- 存储器组织:128K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:75 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ms，3ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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