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MICRON
MT49H8M36FM-33:B TR的图片

MT49H8M36FM-33:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
原厂封装:产品封装:144-TFBGA
优势价格,MT49H8M36FM-33:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT49H8M36FM-33:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT49H8M36FM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DDR SDRAM芯片。该器件采用8M x 36的配置,其中包含32位数据位和4位ECC位,专为需要高数据完整性和可靠性的应用而设计。

其核心性能参数包括300MHz的时钟频率,支持双倍数据速率传输,从而实现高效的数据吞吐。该芯片工作电压为1.8V(典型值),访问时间为20ns,并在0°C至95°C的结温范围内保持稳定工作。它采用144-TFBGA封装,以卷带形式供货,适用于表面贴装工艺。

  • 制造商产品型号:MT49H8M36FM-33:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:288Mb(8M x 36)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:300MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:20ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:144-TFBGA
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