MT29F4G08ABADAH4-E:D是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件提供512M x 8位的存储组织，工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，适用于表面贴装设计。
其核心特性包括基于成熟NAND技术的非易失性数据存储，以及适用于商业温度范围（0°C至70°C）的稳定操作。作为一款并行接口闪存，它为大容量嵌入式存储应用提供了一个经过验证的解决方案。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4-E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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