MT49H8M36BM-25E:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36的组织结构。其核心优势在于高达400MHz的时钟频率与15ns的快速访问时间，能够为系统提供高带宽与低延迟的数据存取能力。
该器件工作电压为1.8V典型值，采用144-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的工业级工作温度范围，适用于对性能和可靠性有较高要求的嵌入式应用。其36位宽并行接口适合需要大数据量实时处理的应用场景。
- 型号:MT49H8M36BM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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