MT41K2G4TRF-125:E是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3L标准，核心组织架构为2G x 4，在1.283V至1.45V的低电压范围内工作，显著降低了动态和静态功耗，满足现代电子系统对能效的严格要求。
其核心性能参数包括800MHz的时钟频率，支持高达1600MT/s的数据传输速率，以及13.5ns的快速访问时间，能够为数据处理提供充足的带宽和响应速度。该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性，适用于表面贴装工艺，主要面向网络通信、嵌入式计算等需要稳定、高性能内存解决方案的领域。
- 型号:MT41K2G4TRF-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
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