MT49H32M9SJ-25:B TR

MT49H32M9SJ-25:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 9的存储结构。该器件核心优势在于其400MHz的高时钟频率与20ns的低访问时间，能够为系统提供高速的数据吞吐能力。

其工作电压范围为1.7V至1.9V，在保证性能的同时优化了功耗。该芯片采用144-TFBGA封装和表面贴装形式，适用于空间受限的紧凑型设计，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），满足工业级应用的可靠性要求。

• 型号:MT49H32M9SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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