MT47H64M8B6-25E:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的并行架构。该器件以400MHz的时钟频率运行，利用DDR2技术实现高效数据传输，其400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，为系统提供了低延迟、高带宽的存储性能。
芯片采用1.7V~1.9V供电，工作温度范围为0°C至85°C（TC），并以60-FBGA表面贴装封装形式供货（卷带包装）。这些参数使其适用于对功耗、空间和实时数据处理有要求的各类嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT47H64M8B6-25E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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