MT49H32M9BM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行接口DRAM芯片，采用144-TFBGA封装。其核心架构为32M x 9位组织，在1.8V典型电压下工作，时钟频率可达300MHz，访问时间为20ns，提供了高速、低延迟的数据存取能力。
该器件适用于表面贴装设计，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），满足工业级环境要求。其并联接口与适中的存储容量，使其成为需要高效数据缓冲和帧缓存功能的网络设备、工业控制系统及嵌入式应用的理想选择。
- 型号:MT49H32M9BM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:32M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
- 想获取MT49H32M9BM-33:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
