MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR 是一款由美光科技制造的1Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 8位的存储结构。该器件通过并行接口进行数据交换，工作电压范围为2.7V至3.6V，为系统设计提供了供电灵活性。
其核心优势在于宽广的工作温度范围（-40°C至85°C）和63-VFBGA表面贴装封装，这使其能够稳定应用于对环境适应性和空间布局有严苛要求的工业及汽车电子领域。该芯片提供了一种可靠的非易失性大容量存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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