MT49H32M18SJ-25E:B

MT49H32M18SJ-25E:B是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DRAM芯片，采用144-TFBGA封装。其核心架构为32M x 18位组织，旨在提供高带宽的数据存取能力。

该器件工作时钟频率为400MHz，典型访问时间为15ns，能够在1.8V左右的核心电压下稳定运行，实现了高性能与低功耗的平衡。其0°C至95°C的宽工作结温范围，确保了在各类嵌入式及工业环境下的可靠性。这款DRAM适用于需要快速、大容量数据缓冲的通信基础设施、网络设备及高性能计算模块。

• 型号:MT49H32M18SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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