MT49H32M18SJ-25:B TR

MT49H32M18SJ-25:B TR是美光科技推出的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片，采用32M x 18的组织结构。该器件基于DRAM技术，工作电压为1.7V至1.9V，支持高达400MHz的时钟频率，可实现高速数据访问与传输。

其核心特性包括20ns的访问时间，以及适用于表面贴装生产的144-TFBGA封装。该芯片设计用于提供稳定的数据带宽，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适合要求一定环境适应性的嵌入式应用。其并联接口和易失性存储格式使其成为需要快速、临时数据存储的系统的关键组件。

• 型号:MT49H32M18SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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