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MICRON
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D的图片

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
原厂封装:封装:134-FBGA(10x11.5)
优势价格,EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM,采用128M x 32位的并行架构。该器件封装于134-ball FBGA中,支持表面贴装,其核心优势在于高达533MHz的运行频率1.14V至1.95V的宽电压供电范围,在提供高速数据访问的同时显著优化了功耗表现。

此外,该芯片具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为对尺寸、功耗和可靠性有严格要求的移动计算、嵌入式系统及工业应用的理想易失性内存解决方案。

  • 型号:EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-WFBGA
  • 供应商器件封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 想获取EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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