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MICRON
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR的图片

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA
原厂封装:封装:132-VBGA(12x18)
优势价格,MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR是美光科技生产的一款32Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该芯片采用4G x 8位的存储结构,通过并联接口支持高达166MHz的时钟频率,能够提供高速的数据传输能力,满足对带宽有严格要求的应用。

其工作电压范围为2.7V至3.6V,并支持-40°C至85°C的工业级工作温度,确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。器件采用132-VBGA表面贴装封装,以卷带形式供货,适用于自动化贴装生产线,主要面向需要大容量、非易失性存储的嵌入式系统、网络设备和工业控制等领域。

  • 型号:MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:4G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • 想获取MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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