MT49H32M18FM-25E:B是一款由美光科技制造的576Mb容量并行DRAM芯片。其核心规格为32M字深、18位宽的组织结构，并支持高达400MHz的运行时钟，能够提供高带宽的数据传输能力。
该器件采用1.7V至1.9V供电，访问时间为15ns，在0°C至95°C的温度范围内可稳定工作。其144-TFBGA表面贴装封装适用于空间紧凑的设计。这些特性使其适用于需要快速数据缓冲和处理的网络、工业控制及嵌入式系统等应用场景。
- 型号:MT49H32M18FM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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