MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR

MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR是美光科技生产的一款16Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该芯片采用512M x 32的组织架构，在1.1V的低工作电压下，其时钟频率可达1866MHz，能够提供高速的数据读写带宽，同时有效控制整体系统功耗。

器件采用200-WFBGA表面贴装封装，以卷带（TR）形式供货，便于自动化生产。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），增强了在各类环境条件下的适应性。这款有源状态的存储器专为满足现代移动及嵌入式设备对高密度、高性能、小尺寸内存解决方案的需求而设计。

• 制造商产品型号：MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
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