MT49H16M36SJ-25E:B TR

MT49H16M36SJ-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用144-TFBGA表面贴装封装。该器件以16M x 36的组织形式构成，其核心优势在于支持高达400MHz的时钟频率，并具备15ns的快速访问时间，能够为系统提供高带宽、低延迟的数据存取能力。

该芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，在实现高性能的同时兼顾了功耗控制。其设计支持0°C至95°C（TC）的工业级工作温度范围，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。这款有源DRAM器件适用于对数据吞吐速率和系统响应时间有严格要求的各类网络、通信及嵌入式存储应用。

• 型号:MT49H16M36SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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